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GaAs
  • TWT具有高频率和高功率特性,但可靠性、重量和所需的支持子系统使其不受欢迎。LDMOS可提供高功率,但工作频率低于5 GHz。GaAs MESFET的工作频率非常高,但低击穿电压将其功率范围限制在10 W左右。